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NXP LS1020A和LS1022A通信處理器：高性能、低功耗的網(wǎng)絡解決方案

2024-11-20 10:25:49

LS1020A和LS1022A是基于Layerscape架構的通信處理器，屬于LS1系列，專為無風扇、小尺寸的企業(yè)級和消費級網(wǎng)絡應用設計。它們配備了雙Arm Cortex-A7核心，最高頻率可達1.2 GHz，支持虛擬化和高性能計算，提供廣泛的集成度和能效。這兩款處理器還具備先進的安全特性，支持多種工業(yè)協(xié)議，并且與LS1021A處理器在引腳和軟件上兼容。作為NXP EdgeVerse?邊緣計算平臺的一部分，它們在網(wǎng)絡、PCIe、內(nèi)存控制和安全引擎等方面提供了豐富的功能和擴展性。

Microsemi 1N6036A至1N6072A雙向瞬態(tài)電壓抑制器TVS

2024-11-20 10:21:17

Microsemi提供的1N6036A至1N6072A系列雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）二極管，具有1500W的高脈沖功率和快速響應時間，適用于保護電子設備免受感性切換、射頻感應或雷擊效應的影響。這些產(chǎn)品提供5.5V至185V的工作電壓范圍，采用密封的DO-13金屬封裝，并提供符合MIL-PRF-19500/507標準的軍事等級選項以及RoHS合規(guī)的商業(yè)等級。它們廣泛應用于ESD、EFT和雷擊保護，具有廣泛的溫度工作范圍和高可靠性，是高可靠性應用的理想選擇。

JANTX1N5968軍級玻璃齊納二極管Microsemi

2024-11-20 10:09:51

Microsemi公司生產(chǎn)的1N4954至1N4996、1N5968至1N5969、1N6632至1N6637型號的5瓦特玻璃齊納二極管是一系列高可靠性產(chǎn)品，適用于軍事和商業(yè)應用，具有無空隙的密封玻璃封裝和內(nèi)部冶金鍵合，提供從3.3伏特到390伏特的廣泛電壓選擇，標準公差為±5%，更緊密公差選項為±2%或±1%。這些二極管在-65°C至+175°C的溫度范圍內(nèi)工作，能夠耗散高達5瓦特的功率，具有優(yōu)秀的電壓調(diào)節(jié)能力和ESD抗性，且固有輻射硬度，適合極端環(huán)境下的應用。

Microsemi JANTX1N5807軍級整流二極管 原裝現(xiàn)貨

2024-11-19 14:21:16

1N5807、1N5809和1N5811是一系列軍用級超快速恢復玻璃整流器，具備無空洞密封玻璃封裝、四層鈍化和內(nèi)部冶金鍵合等特性，提供50V至150V的工作峰值反向電壓，支持高達125A的正向浪涌電流和6.0A的平均整流輸出電流，具有30ns的快速反向恢復時間，適用于軍事、航天和高性能開關電源等高可靠性應用領域。

JANTX1N5772低電容二極管陣列 10引腳陶瓷封裝Microsemi

2024-11-19 13:53:23

1N5772是一款10引腳陶瓷扁平封裝的低電容隔離二極管陣列，設計用于保護多達八個I/O端口免受ESD、EFT和浪涌的影響，具有高擊穿電壓、低漏電流和低電容特性，適用于高頻數(shù)據(jù)線、RS-232/RS-422接口網(wǎng)絡、以太網(wǎng)和計算機I/O端口等應用，并提供符合MIL-PRF19500/474標準的篩選選項。

JANTX1N5284-1電流調(diào)節(jié)軍級二極管Microsemi

2024-11-19 08:56:02

Microsemi 1N5283-1至1N5314-1系列電流調(diào)節(jié)二極管是一系列0.5瓦特的器件，提供從0.22毫安到4.7毫安的電流選擇，具有10%的標準公差。這些器件以其高源阻抗、內(nèi)部冶金鍵合和軍事級別的資格而著稱，能夠在廣泛的電壓和溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定調(diào)節(jié)電流。它們提供靈活的安裝選項，對ESD不敏感，并且具有固有的輻射硬度，適用于需要精確電流控制的電子應用。

LS1012ASE7EKB低功耗處理器NXP恩智浦

2024-11-18 13:53:51

LS1012A是一款低功耗處理器，專為電池或USB供電、空間受限的網(wǎng)絡和物聯(lián)網(wǎng)應用設計。它集成了Arm Cortex-A53核心，運行速度達1GHz，功耗僅為1W，支持線速網(wǎng)絡性能和多種高速接口。軟件上與LS家族設備兼容，屬于NXP的EdgeVerse邊緣計算平臺。特點包括單核1GHz、256 KB L2緩存、16位DDR3L SDRAM、支持高達6 Gbit/s的SerDes、PCIe 2.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0等接口，以及多種外設和安全功能，封裝為211 FC-LGA，9.6x9.6 mm。

Connor-Winfield OX200-DK 12Vdc OCXO

2024-11-18 08:55:58

OX200 - DK是12V直流驅(qū)動、CO - 8封裝的烤箱補償晶體振蕩器。專為特定需求設計，特點有頻率穩(wěn)定性高（±5.0ppb）、溫度范圍寬、低功耗、低相位噪聲和抖動且RoHS合規(guī)。電氣參數(shù)包括供電電壓范圍、輸出特性，還有多種頻率穩(wěn)定性相關參數(shù)。

Arizona Capacitors 60J15103聚酯/紙介電容器15KV

2024-11-13 09:26:18

Arizona Capacitors的60J15103聚酯/紙介電容器，額定電壓為15000V，電容值范圍從0.0005到0.500uf，提供±2%至20%的容差選項，工作溫度范圍為-55°C至85°C，絕緣電阻為25至50k ΩF，損耗因子在1,000Hz時為0.6%，測試電壓為額定電壓的150%，適用于高壓電路。

LA9310S7S11AA可編程基帶處理器NXP恩智浦

2024-11-12 10:59:07

Layerscape Access LA9310是一款高性能、低成本、低功耗的集成ADC/DAC數(shù)字信號處理器，專為5G基礎設施和定制通信系統(tǒng)設計，具備強大的VSPA DSP、高速采樣率、靈活的I/O連接和前向糾錯能力，適用于網(wǎng)絡監(jiān)聽、小型無線電單元和中繼器等應用，提供8mm x 8mm的封裝和在105C時1.5W的最大功耗。

MAC57D5xx多核ARM基礎MCU微控制器 NXP恩智浦

2024-11-12 09:57:52

NXP的MAC57D5xx系列是一款超可靠的多核ARM基礎微控制器，專為汽車儀表盤和工業(yè)應用設計，具備Cortex-A5、Cortex-M4和Cortex-M0+多核架構，支持雙WVGA顯示和HUD變形，集成了先進的圖形處理單元和功能安全特性，滿足ISO26262 ASIL-B標準，并提供豐富的軟件支持和開發(fā)工具。

PDI V29-T-25000X-C-B-B-3-R-X壓控晶體振蕩器VCXO

2024-11-11 09:39:07

PDI VC29系列VCXO可在苛刻環(huán)境下精確輸出頻率，適用于低噪、低抖、高振環(huán)境。規(guī)格涵蓋尺寸、頻率范圍、輸出模式、穩(wěn)定性、溫度、電壓等。性能參數(shù)包括調(diào)頻范圍、噪聲、啟動時間、輸出電壓、電流消耗。有4 - 6引腳配置，特定包裝材料，符合相關標準，適用于通信、精密儀器、工業(yè)自動化設備等。

Infineon英飛凌P溝道功率MOSFET

2024-11-11 09:27:06

Infineon的P溝道功率MOSFET系列專為中低功率應用設計，具有空穴流載流子、負柵極電壓需求、簡化設計和廣泛電壓等級等特點，優(yōu)化電路設計并易于獲取。提供多種封裝類型，廣泛應用于電池保護、反極性保護、線性電池充電器、負載開關、DC-DC轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動等領域，包括工業(yè)和汽車應用，特別是車規(guī)級產(chǎn)品。

CWX813,CWX815,CWX823,CWX825表面貼裝CMOS時鐘振蕩器Connor Winfield

2024-11-08 09:22:56

CWX8xx系列固定頻率晶體控制振蕩器采用5.0x7.0mm表面貼裝封裝，適用于高頻率穩(wěn)定性和低抖動應用，工作電壓為3.3V或5.0V，頻率穩(wěn)定性為±25ppm或±50ppm，溫度范圍為-20至70°C，頻率范圍為1.0至156.25MHz，負載電容為15pF（LVCMOS）或50pF（HCMOS），存儲溫度為-55至125°C，采用密封陶瓷封裝，符合RoHS標準的無鉛焊接。

IRLML6401TRPBF：12V單通道P溝道功率MOSFET

2024-11-08 09:15:26

IRLML6401TRPBF是一款由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET，采用SOT-23封裝，專為低功耗和低頻率應用設計，具備寬廣的安全工作區(qū)域、行業(yè)標準認證、低頻應用中的高性能等特點，適用于DC開關、負載開關等應用，技術規(guī)格包括最大漏極電流-4.3A、導通電阻最大50mΩ等，非常適合電源管理、電機控制和電池供電設備。

Ampleon C5H3438N110D功率GaN晶體管3.3-5.0GHz

2024-11-07 09:03:57

Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射頻功率晶體管，專為3400 MHz至3800 MHz頻率范圍內(nèi)的基站應用設計。其特點包括緊湊的8 mm x 8 mm QFN封裝、5G mMIMO優(yōu)化、高效率Doherty配置、寬帶操作、內(nèi)部匹配設計以及優(yōu)秀的數(shù)字預失真能力。適用于多載波應用，提供高帶寬和高數(shù)據(jù)速率，技術參數(shù)包括110W名義輸出功率、48V漏源電壓、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏極效率。

Vishay CBA3750CLAKWS薄膜二進制MOS電容器

2024-11-06 09:09:59

Vishay CBA系列MOS電容器有兩種總電容版本，電容以二進制增量在0.25 pF - 15 pF間配置，提供多種選擇。該電容器可線焊，采用特定介質(zhì)和基板，尺寸小，用于微波電路混合封裝。其電氣規(guī)格涵蓋工作電壓、損耗因數(shù)、Q值、溫度系數(shù)和工作溫度范圍等。

Broadcom PEX88048：50通道PCIe Gen 4.0交換機

2024-11-05 09:06:19

Broadcom PEX88048是一款高性能PCIe Gen 4.0交換機，具備50個通道和端口，支持高速數(shù)據(jù)傳輸、低延遲和靈活的fabric拓撲結(jié)構，特別適合數(shù)據(jù)中心和云服務提供商。它具備嵌入式ARM CPU、ExpressFabric架構、48個DMA通道、消除PCIe拓撲限制、專為NVMe AFA系統(tǒng)設計、生命周期活躍功能、雙管理端口、低功耗SerDes等特性，旨在構建高性能、低延遲、可擴展的PCIe fabrics。

Q-TECH QTCV356系列小型化SMD電壓控制晶體振蕩器

2024-11-04 09:04:41

QTCV356系列VCXOs（壓控晶體振蕩器）是一款集成了5Vdc或3.3Vdc時鐘方波發(fā)生器和微型條形AT石英晶體的低高度陶瓷封裝振蕩器，適用于低電壓應用。其主要特性包括寬頻率范圍（1.000MHz到156.250MHz）、小尺寸（3.2 x 5mm）、支持HCMOS、LVHCMOS、LVPECL邏輯類型、5.0Vdc或3.3Vdc供電電壓、-40oC到+85oC的工作溫度范圍、Tri-State輸出、密封陶瓷封裝、基本和第三泛音設計、符合MIL-PRF-55310標準的軍事級篩選測試，以及無鉛和RoHS合規(guī)。該系列產(chǎn)品廣泛應用于槍械發(fā)射彈藥和系統(tǒng)、智能彈藥、儀器儀表、以太網(wǎng)/同步、SONET、微處理器時鐘等領域。

Delta HCME1012(F)系列電感器

2024-11-01 09:35:05

Delta的HCME1012(F)系列電感器在電子設計中發(fā)揮關鍵作用，適用于電源管理、信號過濾等領域。該系列提供70 nH至330 nH的電感值，低直流電阻（33 mΩ）、高飽和電流（178 A），工作溫度范圍寬（-40℃至125℃），精度±10%至±15%。其緊湊尺寸（10.0x6.0~6.2x12.0mm）和嚴格的質(zhì)量控制確保了在多種應用中的高效率和可靠性。