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1200V IGBT-SD11428帶SiC肖特基體二極管solitron

發(fā)布時(shí)間：2023-12-26 15:39:03     瀏覽：630

solitron SD11428是一款集成了碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管的1200V IGBT。這款堅(jiān)固耐用的 IGBT 采用扁平 <0.300 高 TO-3 “Co-Pack”封裝，這種堅(jiān)固耐用的IGBT/肖特基組合非常適合高可靠性、高密度應(yīng)用，包括交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、開(kāi)關(guān)模式和諧振模式電源、感應(yīng)加熱、泵和風(fēng)扇。

Solitron的“Co-Packs”將MOSFET、IGBT和肖特基二極管等功能組合到一個(gè)封裝中，并提供了最大的空間節(jié)省、效率和可靠性。減少組件數(shù)量和互連、改善熱性能和減少電感耦合是“Co-Pack”技術(shù)的一些優(yōu)勢(shì)。

碳化硅 (SiC) 等化合物半導(dǎo)體正迅速成為硅的理想繼任者，滿足當(dāng)今電源應(yīng)用對(duì)更高效率和功率處理能力的需求。這些功率器件代表了下一代高禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，具有更高的擊穿電壓、更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的電阻率，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了硅器件的性能。更高的開(kāi)關(guān)頻率可以減小電感器、電容器、濾波器和變壓器等元件的尺寸。Solitron的SiC解決方案可在超過(guò)200°C的溫度下工作，非常適合空間受限的惡劣環(huán)境應(yīng)用。

1200V IGBT-SD11428帶SiC肖特基體二極管solitron

特征：

■ 1200V IGBT帶SiC肖特基體二極管 | 22A 連續(xù)電流

■ 低柵極電荷 47nC

■ 易于并聯(lián)

■ 薄型TO-3密封封裝(<0.300“最大高度)

■ 工作溫度范圍 -55C至+125C


應(yīng)用：

· 交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

· 不間斷電源

· 開(kāi)關(guān)模式和諧振模式電源

· 感應(yīng)加熱

· 泵、風(fēng)扇


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